- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50mA
- Мощность - Макс.: 330mW
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30mA
- Мощность - Макс.: 360mW
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 2W (Ta)
- 10
- 15
- 50
- 100