Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Goford Semiconductor 8-DFN (4.9x5.75)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • G20N06D52
    N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
    Goford Semiconductor
    • Производитель: Goford Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (4.9x5.75)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 45W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GT090N06D52
    N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
    Goford Semiconductor
    • Производитель: Goford Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (4.9x5.75)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1620pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 62W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100