• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
G4616 N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX) Goford Semiconductor 8-SOP 2W (Tc), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel Complementary 40V 8A (Tc), 7A (Tc) Standard 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V, 13nC @ 10V 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
G4953S P+P -30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX Goford Semiconductor 8-SOP 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Tc) Standard 60mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V 520pF @ 15V
G20N06D52 N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M Goford Semiconductor 8-DFN (4.9x5.75) 45W (Ta) Surface Mount 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Ta) Standard 30mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 25nC @ 10V 1220pF @ 30V
G33N03D3 N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M Goford Semiconductor 8-DFN (3x3) 20W (Tc) Surface Mount 8-PowerVDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 33A (Tc) Standard 12mOhm @ 18A, 10V 1.1V @ 250µA 17.5nC @ 10V 1938pF @ 15V
G06NP06S2 N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4 Goford Semiconductor 8-SOP 2W (Tc), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 60V 6A (Tc) Standard 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
GT090N06D52 N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@ Goford Semiconductor 8-DFN (4.9x5.75) 62W (Tc) Surface Mount 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 60V 40A (Tc) Standard 9mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 250µA 24nC @ 10V 1620pF @ 30V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100