Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
GA05JT01-46 TRANS SJT 100V 9A GeneSiC Semiconductor TO-46 Through Hole TO-46-3 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) -55°C ~ 225°C (TJ) 20W (Tc) 100V 9A (Tc) 240mOhm @ 5A
GA05JT03-46 TRANS SJT 300V 9A GeneSiC Semiconductor TO-46 Through Hole TO-46-3 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) -55°C ~ 225°C (TJ) 20W (Tc) 300V 9A (Tc) 240mOhm @ 5A