-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GA05JT01-46 | TRANS SJT 100V 9A | GeneSiC Semiconductor | TO-46 | Through Hole | TO-46-3 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 225°C (TJ) | 20W (Tc) | 100V | 9A (Tc) | 240mOhm @ 5A |
GA05JT03-46 | TRANS SJT 300V 9A | GeneSiC Semiconductor | TO-46 | Through Hole | TO-46-3 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | -55°C ~ 225°C (TJ) | 20W (Tc) | 300V | 9A (Tc) | 240mOhm @ 5A |
- 10
- 15
- 50
- 100