Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET GeneSiC Semiconductor TO-46

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • GA05JT01-46
    TRANS SJT 100V 9A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-46-3
    • Тип корпуса: TO-46
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 20W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA05JT03-46
    TRANS SJT 300V 9A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-46-3
    • Тип корпуса: TO-46
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 20W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100