-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GA10SICP12-263 | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 | GeneSiC Semiconductor | D2PAK (7-Lead) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | 170W (Tc) | 1200V | 25A (Tc) | 100mOhm @ 10A | 1403pF @ 800V |
| GA20JT12-263 | TRANS SJT 1200V 45A | GeneSiC Semiconductor | D2PAK (7-Lead) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | 282W (Tc) | 1200V | 45A (Tc) | 60mOhm @ 20A | 3091pF @ 800V |
| GA05JT12-263 | TRANS SJT 1200V 15A | GeneSiC Semiconductor | D2PAK (7-Lead) | Surface Mount | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | 106W (Tc) | 1200V | 15A (Tc) |
- 10
- 15
- 50
- 100