• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF8S9102NR3 RF PFET ULTRA HIGH FREQUENCY B Freescale Semiconductor OM-780-2 28W 865MHz ~ 960MHz 70V 10µA OM-780-2 LDMOS 23.1dB 28V 750mA
MRF24300NR3 RF POWER LDMOS TRANSISTOR Freescale Semiconductor OM-780-2 330W 2.45GHz 65V OM-780-2 LDMOS 13.1dB 32V 100mA
MRF8S9202NR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor OM-780-2 58W 920MHz 70V OM-780-2 LDMOS 19dB 28V 1.3A
MRF7S24250NR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor OM-780-2 256W 2.45GHz 65V OM-780-2 LDMOS 14.7dB 30V 100mA
MRF8S9120NR3 SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL Freescale Semiconductor OM-780-2 33W 960MHz 70V OM-780-2 LDMOS 19.8dB 28V 800mA
AFT09S282NR3 REEL AFT09S282NR3 REEL Freescale Semiconductor OM-780-2 80W 720MHz ~ 960MHz 70V 10µA OM-780-2 LDMOS 20dB 28V 1.4A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100