• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF21125R3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 125W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA SOT-957A N-Channel 13dB 28V 1.6A
MRF6S9045NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880H-2L 10W 1GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF5S19130HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 26W 2GHz 65V 10µA SOT-957A LDMOS 13dB 28V 1.2A
MRF6S19140HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 29W 1.93GHz ~ 1.99GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 16dB 28V 1.15A
MRF7S18170HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 50W 1.805GHz ~ 1.88GHz 65V 10µA SOT-957A LDMOS 17.5dB 28V 1.4A
MRFE6S9135HR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880H-2L 39W 1GHz 66V 10µA SOT-957A LDMOS 21dB 28V 1A
MRF6S23140HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 28W 2.3GHz ~ 2.4GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 15.2dB 28V 1.3A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100