• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF8HP21080HR5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780-4 16W 2.17GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 14.4dB 28V 150mA
MRF8P23160WHSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780-4 30W 2.32GHz 65V NI-780-4 N-Channel 14.1dB 28V 600mA
MD7P19130HR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780-4 40W 1.99GHz 65V NI780-4 LDMOS (Dual) 20dB 28V 1.25A
MRF8HP21130HR5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780-4 28W 2.17GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 14dB 28V 360mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100