-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF8S21200HSR6 | RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL | Freescale Semiconductor | NI-1230S | 48W | 2.14GHz | 65V | NI-1230S | LDMOS (Dual) | 18.1dB | 28V | 1.4A |
| AFT18HW355SR5 | RF N CHANNEL POWER MOSFET | Freescale Semiconductor | NI-1230S | 63W | 1.88GHz | 65V | NI-1230S | LDMOS (Dual) | 15.2dB | 28V | 1.1A |
- 10
- 15
- 50
- 100