-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1006HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Freescale Semiconductor | NI-1230-4H | 1000W | 450MHz | 120V | SOT-979A | LDMOS | 20dB | 50V | 150mA | |
| MRF1K50HR5178 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | Freescale Semiconductor | NI-1230-4H | 1500W | 1.8MHz ~ 500MHz | 135V | 20µA | SOT-979A | LDMOS (Dual) | 23.7dB | 50V | 100mA |
| MRF6VP21KHR5 | N-CHANNEL, MOSFET | Freescale Semiconductor | NI-1230-4H | 1000W | 235MHz | 110V | 100µA | SOT-979A | LDMOS (Dual) | 24dB | 50V | 150mA |
| MMRF1306HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Freescale Semiconductor | NI-1230-4H | 1250W | 230MHz | 133V | SOT-979A | LDMOS (Dual) | 24dB | 50V | 100mA |
- 10
- 15
- 50
- 100