• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF5S21150HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880 33W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V NI-880 LDMOS 12.5dB 28V 1.3A
MRF5S9150HR5 FET RF 68V 880MHZ NI-780S Freescale Semiconductor NI-780H-2L 33W 880MHz 68V SOT-957A LDMOS 19.7dB 28V 1.5A
MRF7S21110HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 33W 2.17GHz 65V SOT-957A LDMOS 17.3dB 28V 1.1A
MRF7S21110HR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 Freescale Semiconductor NI-780H-2L 33W 2.17GHz 65V SOT-957A LDMOS 17.3dB 28V 1.1A
MRF8S9120NR3 SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL Freescale Semiconductor OM-780-2 33W 960MHz 70V OM-780-2 LDMOS 19.8dB 28V 800mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100