• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF21030LR5 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 Freescale Semiconductor NI-400 30W 2.14GHz 65V NI-400 LDMOS 13dB 28V 250mA
MRF8P23160WHSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780-4 30W 2.32GHz 65V NI-780-4 N-Channel 14.1dB 28V 600mA
MRF18030BLSR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-400S 30W 1.8GHz ~ 2GHz 65V 1µA NI-400S N-Channel 14dB 26V 250mA
MRF9030LR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-360 30W 1GHz 68V 10µA NI-360 LDMOS 19dB 26V 250mA
MRF21030LR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-400 30W 2.14GHz 65V NI-400 LDMOS 13dB 28V 250mA
MRF9030MBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-272-2 30W 1GHz 65V 10µA TO-272BC N-Channel 20dB 26V 250mA
MRF18030ALSR5 FET RF 65V 1.88GHZ NI-400S Freescale Semiconductor NI-400S 30W 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V NI-400S LDMOS 14dB 26V 250mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100