• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF8S21100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 24W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA NI-780S LDMOS 18.3dB 28V 700mA
MRF8S21100HR5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780H-2L 24W 2.17GHz 65V SOT-957A N-Channel 18.3dB 28V 700mA
MRF7S19080HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 24W 1.99GHz 65V SOT-957A LDMOS 18dB 28V 750mA
MRF19125R5 FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 Freescale Semiconductor NI-880 24W 1.93GHz 65V NI-880 LDMOS 13.5dB 26V 1.3A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100