• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF7S27130HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 23W 2.7GHz 65V NI-780S LDMOS 16.5dB 28V 1.5A
MRF5S21100HSR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S Freescale Semiconductor NI-780S 23W 2.16GHz ~ 2.17GHz 65V NI-780S LDMOS 13.5dB 28V 1.05A
MRF6S21100NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 23W 2.11GHz ~ 2.16GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 1.05A
MRF6S21100NR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 23W 2.11GHz ~ 2.17GHz 68V 10µA TO-270AB LDMOS 14.5dB 28V 1.05A
MRF6S21100HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 23W 2.11GHz ~ 2.17GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 15.9dB 28V 950mA
MRF7S27130HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S 23W 2.7GHz 65V NI-780S LDMOS 16.5dB 28V 1.5A
MRF5S21100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 23W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA NI-780S LDMOS 13.5dB 28V 1.05A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100