• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF5S19100HR5 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 Freescale Semiconductor NI-780 22W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V NI-780 LDMOS 13.9dB 28V 1A
MRF7S21080HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4S2S 22W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA NI-780S-4S2S LDMOS 18dB 28V 800mA
AFT26P100-4WSR3 RF N CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-4 22W 2.69GHz 65V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 15.1dB 28V 200mA
MRF6S19100HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 22W 1.99GHz 68V SOT-957A LDMOS 16.1dB 28V 900mA
MRF7S21080HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 22W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA NI-780S LDMOS 18dB 28V 800mA
MRF6S19100NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 22W 1.99GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 950mA
MRF5S19100HSR5 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S Freescale Semiconductor NI-780S 22W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V NI-780S LDMOS 13.9dB 28V 1A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100