• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S27085HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S 20W 2.66GHz 68V NI-780S LDMOS 15.5dB 28V 900mA
MRF5S9100NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 20W 880MHz 68V TO-270AB LDMOS 19.5dB 26V 950mA
MRF6S27085HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 20W 2.66GHz 68V SOT-957A LDMOS 15.5dB 28V 900mA
MRF8P20100HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 20W 2.03GHz 65V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 16dB 28V 400mA
MRF6S23100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 20W 2.3GHz ~ 2.4GHz 68V 10µA NI-780S LDMOS 15.4dB 28V 1A
MRF6S27085HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-780H-2L 20W 2.66GHz 68V SOT-957A LDMOS 15.5dB 28V 900mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100