• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6V3090NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 18W 860MHz 110V TO-270AB LDMOS 22dB 50V 350mA
MRF19085LR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 18W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V SOT-957A LDMOS 13dB 26V 850mA
MRF6V3090NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 18W 860MHz 110V TO-272BB LDMOS 22dB 50V 350mA
MRF6VP3091NBR1 RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 18W 860MHz 115V TO-272BB LDMOS (Dual) 22dB 50V 350mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100