• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S9045NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880H-2L 10W 1GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF7P20040HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 10W 1.8GHz ~ 2.2GHz 65V 10µA NI-780S-4 LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
MRF5S21045NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 10W 2.12GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF5P21045NR1 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA TO-270AB LDMOS (Dual) 14.5dB 28V 500mA
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
MRF6S9045NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF21010LR1 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-360 10W 2.17GHz 65V NI-360 LDMOS 13.5dB 28V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100