• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MWE6IC9100NBR1-FR NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER Freescale Semiconductor TO-272 WB-14 100W 869MHz ~ 960MHz 66V 10µA TO-272-14 Variant, Flat Leads LDMOS 33.5dB 26V 120mA
MRF5S9101NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 100W 869MHz ~ 960MHz 68V 10µA TO-270AB 17.5dB 26V 700mA
AFV09P350-04GNR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor OM-780G-4L 100W 920MHz 105V OM-780G-4L LDMOS (Dual) 19.5dB 48V 860mA
MRF5S9101MR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 100W 869MHz ~ 960MHz 68V 10µA TO-270AB 17.5dB 26V 700mA
MRF5S9101MBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 100W 960MHz 68V TO-272BB LDMOS 17.5dB 26V 700mA
MRF6S18100NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 100W 1.99GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 900mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100