• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6VP121KHR5178 LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF , Freescale Semiconductor NI-1230 1000W 965MHz ~ 1.215GHz 110V 100µA NI-1230 LDMOS (Dual) 21.4dB 50V 150mA
MRF6VP11KHR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230S-4 GULL 1000W 130MHz 110V NI-1230S-4 GW LDMOS (Dual) 26dB 50V 150mA
MRF6VP121KHR5-FR RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-1230 1000W 1.215GHz 110V 10µA NI-1230 LDMOS (Dual) 21.4dB 50V 150mA
MRF6VP41KHR5 RF N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-1230 1000W 450MHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MMRF1006HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230-4H 1000W 450MHz 120V SOT-979A LDMOS 20dB 50V 150mA
MRF6VP41KHR7 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-1230 1000W 450MHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
MRF6VP21KHR5 N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-1230-4H 1000W 235MHz 110V 100µA SOT-979A LDMOS (Dual) 24dB 50V 150mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100