• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 214
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF7S19170HSR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880S 50W 1.99GHz 65V NI-880S LDMOS 17.2dB 28V 1.4A
MRF6V2150NBR5 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 150W 220MHz 110V TO-272BB LDMOS 25dB 50V 450mA
MRF7S21080HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 22W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA NI-780S LDMOS 18dB 28V 800mA
MRF5S4140HR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-780H-2L 28W 465MHz 65V SOT-957A LDMOS 21dB 28V 1.25A
MRFG35003NT1 RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C Freescale Semiconductor PLD-1.5 3W 1.8GHz ~ 3.6GHz 15V 1.3A PLD-1.5 pHEMT FET 11.5dB 12V 55mA
MRFG35010AR5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-360HF 1W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 140mA
MHT1008NT1 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor
MRF7S21110HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780H-2L 33W 2.17GHz 65V SOT-957A LDMOS 17.3dB 28V 1.1A
MRFE6S9135HSR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880S 39W 1GHz 66V 10µA NI-880S LDMOS 21dB 28V 1A
MRF6V2300NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 300W 600MHz 110V 2.5mA TO-272BB LDMOS 25.5dB 50V 900mA
MRF6VP3450HSR5 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-1230-4S 450W 470MHz ~ 860MHz 110V 10µA NI-1230-4S LDMOS (Dual) 22.5dB 50V 1.4A
MRF8P20160HSR3 RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 37W 1.92GHz 65V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 16.5dB 28V 550mA
AFT18H357-24NR6 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Freescale Semiconductor OM-1230-4L2L 63W 1.81GHz 65V OM-1230-4L2L LDMOS (Dual) 17.5dB 28V 800mA
MRF7S19100NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 29W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-270AB LDMOS 17.5dB 28V 1A
MRF9060NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270-2 60W 945MHz 65V TO-270AA LDMOS 18dB 26V 450mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100