• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 214
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
MRFE6P9220HR3 RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE Freescale Semiconductor NI-860C3 47W 880MHz 66V NI-860C3 LDMOS 20dB 28V 1.6A
MRF8S21200HSR6 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-1230S 48W 2.14GHz 65V NI-1230S LDMOS (Dual) 18.1dB 28V 1.4A
MRF6S21100NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 23W 2.11GHz ~ 2.16GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 1.05A
MRF8P23080HSR3 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-4L 16W 2.3GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 14.6dB 28V 280mA
MRFG35002N6T1 RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C Freescale Semiconductor PLD-1.5 1.5W 3.55GHz 8V PLD-1.5 pHEMT FET 10dB 6V 65mA
MRF5S21045NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 10W 2.12GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF5S19060NR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF5S19130HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 26W 2GHz 65V 10µA SOT-957A LDMOS 13dB 28V 1.2A
MRF8S18120HSR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 72W 1.81GHz 65V NI-780S LDMOS 18.2dB 28V 800mA
MRF6P21190HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230 44W 2.12GHz 68V NI-1230 LDMOS 15.5dB 28V 1.9A
MRF6S9130HR5 FET RF 68V 880MHZ NI-780 Freescale Semiconductor NI-780H-2L 27W 880MHz 68V SOT-957A LDMOS 19.2dB 28V 950mA
AFT26P100-4WSR3 RF N CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-4 22W 2.69GHz 65V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 15.1dB 28V 200mA
MRF7S16150HSR5 FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S Freescale Semiconductor NI-780S 32W 1.6GHz ~ 1.66GHz 65V NI-780S LDMOS 19.7dB 28V 1.5A
MRF8P23080HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-4L 16W 2.3GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 14.6dB 28V 280mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100