• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 214
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF5S19060MR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V 10µA TO-270AB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF8HP21080HR5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780-4 16W 2.17GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 14.4dB 28V 150mA
MRF6V4300NBR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 300W 10MHz ~ 600MHz 110V 2.5mA TO-272BB LDMOS 22dB 50V 900mA
MRF8S9170NR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-780S-4 50W 920MHz ~ 960MHz 70V 10µA NI-780S-4 LDMOS 19.3dB 28V 1A
AFT26HW050GSR3 RF N CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780GS-4L4L 9W 2.69GHz 65V NI-780GS LDMOS (Dual) 14.2dB 28V 100mA
AFT23S170-13SR3 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-6 45W 2.4GHz 65V NI-780S-6 LDMOS 18.8dB 28V 1.1A
AFT26H050W26SR3 RF N CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-780S-4L4L-8 9W 2.496GHz ~ 2.69GHz 65V 10µA NI-780S-4L4L-8 LDMOS (Dual) 14.2dB 28V 100mA
MRFE6S9046NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 35.5W 960MHz 66V TO-270AB LDMOS 19dB 28V 300mA
MRFG35003ANT1 RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C Freescale Semiconductor PLD-1.5 3W 3.55GHz 15V PLD-1.5 pHEMT FET 10.8dB 12V 55mA
MRFE6VP6300HSR3 RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE Freescale Semiconductor NI-780S-4 300W 230MHz 130V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 26.5dB 50V 100mA
MRF6S9045NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880H-2L 10W 1GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRFE8VP8600HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230 140W 470MHz ~ 860MHz 115V 20µA NI-1230 LDMOS (Dual) 21dB 50V 1.4A
MRF5S19100HR5 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 Freescale Semiconductor NI-780 22W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V NI-780 LDMOS 13.9dB 28V 1A
MRFG35010NR5 FET RF 15V 3.55GHZ Freescale Semiconductor PLD-1.5 9W 3.55GHz 15V PLD-1.5 pHEMT FET 10dB 12V 180mA
MRF7S27130HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 23W 2.7GHz 65V NI-780S LDMOS 16.5dB 28V 1.5A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100