• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 214
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF5P21045NR1 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA TO-270AB LDMOS (Dual) 14.5dB 28V 500mA
MRF7S21210HR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 Freescale Semiconductor NI-780H-2L 63W 2.17GHz 65V SOT-957A LDMOS 18.5dB 28V 1.4A
MRF9002NR2 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor 16-PFP 37dBm 960MHz 65V 16-SOP (0.276", 7.00mm Width) LDMOS 18dB 26V 25mA
MRF7S38040HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-400S-2S 8W 3.4GHz ~ 3.6GHz 65V NI-400S-2S LDMOS 14dB 30V 450mA
MRF7S19100NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 29W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 17.5dB 28V 1A
MRF6P9220HR3 RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE Freescale Semiconductor NI-860C3 47W 880MHz 68V NI-860C3 LDMOS 20dB 28V 1.6A
MRF6P9220HR5 FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 Freescale Semiconductor NI-860C3 47W 880MHz 68V NI-860C3 LDMOS 20dB 28V 1.6A
MRF19045LSR5 FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S Freescale Semiconductor NI-400S-240 9.5W 1.93GHz 65V NI-400S LDMOS 14.5dB 26V 550mA
MD7P19130HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 40W 1.99GHz 65V NI-780S-4 LDMOS (Dual) 20dB 28V 1.25A
AFT26H250W03SR6 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230-4S 50W 2.496GHz ~ 2.69GHz 65V 10µA NI-1230-4S LDMOS (Dual) 14.1dB 28V 700mA
MRF7S21150HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S 44W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V NI-780S LDMOS 17.5dB 28V 1.35A
MRF21030LR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-400 30W 2.14GHz 65V NI-400 LDMOS 13dB 28V 250mA
MRF6S27015NR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-270AA Freescale Semiconductor TO-270-2 3W 2GHz ~ 2.7GHz 68V 10µA TO-270AA LDMOS 14dB 28V 160mA
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
MRF8S19260HR6 RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI1230-8 74W 1.99GHz 65V SOT-1110A LDMOS (Dual) 18.2dB 30V 1.6A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100