-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RF3S49092SM9A | P-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | TO-263-5 | 50W (Tc) | Surface Mount | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | -55°C ~ 175°C (TJ) | N and P-Channel | 12V | 20A (Tc), 10A (Tc) | Logic Level Gate | 60mOhm @ 20A, 5V, 140mOhm @ 10A, 5V | 1V @ 250µA | 25nC @ 10V, 24nC @ 10V | 750pF @ 10V, 775pF @ 10V |
- 10
- 15
- 50
- 100