• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
FD6M043N08 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor EPM15 Through Hole EPM15 -40°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 75V 65A Standard 4.3mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 148nC @ 10V 6180pF @ 25V Power-SPM™
FD6M045N06 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor EPM15 Through Hole EPM15 -40°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 60V 60A Standard 4.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 87nC @ 10V 3890pF @ 25V Power-SPM™
FD6M033N06 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor EPM15 Through Hole EPM15 -40°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 60V 73A Standard 3.3mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 129nC @ 10V 6010pF @ 25V Power-SPM™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100