• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
FDMC7200S SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor 8-Power33 (3x3) 700mW, 1W Surface Mount 8-PowerWDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 13A Logic Level Gate 22mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 660pF @ 15V PowerTrench®
FDMC3300NZA N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor 8-Power33 (3x3) 2.1W Surface Mount 8-PowerVDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 20V 8A Logic Level Gate 26mOhm @ 8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 12nC @ 4.5V 815pF @ 10V PowerTrench®
FDMC7200 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor 8-Power33 (3x3) 700mW, 900mW Surface Mount 8-PowerWDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8A Logic Level Gate 23.5mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 660pF @ 15V PowerTrench®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100