Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor 8-Power33 (3x3)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-Power33 (3x3)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A, 13A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 700mW, 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-Power33 (3x3)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 2.1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-Power33 (3x3)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A, 8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 700mW, 900mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100