-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMD86100 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Fairchild Semiconductor | 8-Power 5x6 | 2.2W | Surface Mount | 8-PowerWDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 100V | 10A | Standard | 10.5mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | 2060pF @ 50V | PowerTrench® |
FDMD8540L | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | Fairchild Semiconductor | 8-Power 5x6 | 2.3W | Surface Mount | 8-PowerWDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 40V | 33A, 156A | Standard | 1.5mOhm @ 33A, 10V | 3V @ 250µA | 113nC @ 10V | 7940pF @ 20V | PowerTrench® |
- 10
- 15
- 50
- 100