Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor 8-Power 5x6
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-Power 5x6
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
- Мощность - Макс.: 2.2W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-Power 5x6
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A, 156A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7940pF @ 20V
- Мощность - Макс.: 2.3W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100