• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
FDMA1025P POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor 6-MicroFET (2x2) 700mW Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A Logic Level Gate 155mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 450pF @ 10V PowerTrench®
FDMA1023PZ SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor 6-MicroFET (2x2) 700mW Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 3.7A Logic Level Gate 72mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 12nC @ 4.5V 655pF @ 10V PowerTrench®
FDMA3028N SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor 6-MicroFET (2x2) 700mW Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 3.8A Logic Level Gate 68mOhm @ 3.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 5.2nC @ 5V 375pF @ 15V PowerTrench®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100