• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 277
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
FDMS8860AS N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Fairchild Semiconductor
EFC4C002NLTDG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 8-WLCSP (6x2.5) 2.6W Surface Mount 8-XFBGA, WLCSP 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 2.2V @ 1mA 45nC @ 4.5V 6200pF @ 15V
IRFN214BTA IRFN214B - 250V N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor
RF1K4909096 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor 8-SOIC 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 12V 3.5A (Ta) Logic Level Gate 50mOhm @ 3.5A, 5V 2V @ 250µA 25nC @ 10V 750pF @ 10V
RF3S49092SM9A P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor TO-263-5 50W (Tc) Surface Mount TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA -55°C ~ 175°C (TJ) N and P-Channel 12V 20A (Tc), 10A (Tc) Logic Level Gate 60mOhm @ 20A, 5V, 140mOhm @ 10A, 5V 1V @ 250µA 25nC @ 10V, 24nC @ 10V 750pF @ 10V, 775pF @ 10V
HUFA75321D3STQ N CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36 Fairchild Semiconductor
FDC6320C SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor SuperSOT™-6 700mW Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 25V 220mA, 120mA Logic Level Gate 4Ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.4nC @ 4.5V 9.5pF @ 10V
NDS8961 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor 8-SOIC 900mW Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A Logic Level Gate 100mOhm @ 3.1A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 190pF @ 15V
FDMS7696A 13.2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET Fairchild Semiconductor
FDS6890A POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor 8-SOIC 900mW Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A Logic Level Gate 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 32nC @ 4.5V 2130pF @ 10V PowerTrench®
FDMC8010A 1-ELEMENT, N-CHANNEL Fairchild Semiconductor
FDU6670AS TRANS MOSFET N-CH 30V 3PIN(3+TAB Fairchild Semiconductor
HUF75842S3 MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Fairchild Semiconductor
FDME1034CZT SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor 6-MicroFET (1.6x1.6) 600mW Surface Mount 6-UFDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A Logic Level Gate 66mOhm @ 3.4A, 4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V 300pF @ 10V PowerTrench®
FDZ2554P P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor 18-BGA (2.5x4) 2.1W Surface Mount 18-WFBGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A Logic Level Gate 28mOhm @ 6.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1900pF @ 10V PowerTrench®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100