• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 61
  • EPC2100
    GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100