Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET EPC 9-BGA (1.35x1.35)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • EPC2107
    GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 9-VFBGA
    • Тип корпуса: 9-BGA (1.35x1.35)
    • Тип полевого транзистора: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
    • FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EPC2108
    GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 9-VFBGA
    • Тип корпуса: 9-BGA (1.35x1.35)
    • Тип полевого транзистора: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
    • FET Feature: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V, 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100