-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI048N04PQ2-AQ | MOSFET, 40V, 48A, N, 28W | Diotec Semiconductor | PG-TDSON-8-4 | 27W (Tc) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 40V | 48A (Tc) | Standard | 9.6mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | 2270pF @ 20V | Automotive, AEC-Q101 |
| DI048N04PQ2 | MOSFET, 40V, 48A, N, 28W | Diotec Semiconductor | PG-TDSON-8-4 | 27W (Tc) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 40V | 48A (Tc) | Standard | 9.6mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48nC @ 10V | 2270pF @ 20V | |
| DI038N04PQ2-AQ | MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | Diotec Semiconductor | PG-TDSON-8-4 | 31W (Tc) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 45V | 38A (Tc) | Standard | 12mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 14nC @ 10V | 830pF @ 30V | Automotive, AEC-Q101 |
| DI038N04PQ2 | MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | Diotec Semiconductor | PG-TDSON-8-4 | 31W (Tc) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 45V | 38A (Tc) | Standard | 12mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 14nC @ 10V | 830pF @ 30V |
- 10
- 15
- 50
- 100