• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CGH40010P RF MOSFET HEMT 28V 440196 Cree/Wolfspeed 440196 12.5W 0Hz ~ 6GHz 28V 440196 HEMT 14.5dB 28V 200mA GaN
CG2H40010P 10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 10W 8GHz 120V 440196 HEMT 16.7dB 28V 200mA GaN
CGH27015P 15W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 15W 2.3GHz ~ 2.9GHz 84V 440196 HEMT 15dB 28V 100mA GaN
CGH27030P 30W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 30W 2.3GHz ~ 2.9GHz 84V 440196 HEMT 14.5dB 28V 150mA GaN
CGH55015F1 RF MOSFET HEMT 28V 440196 Cree/Wolfspeed 440196 15W 5.5GHz ~ 5.8GHz 84V 1.5A 440196 HEMT 11dB 28V 115mA GaN
CGH40025P RF MOSFET HEMT 28V 440196 Cree/Wolfspeed 440196 30W 6GHz 84V 440196 HEMT 13dB 28V GaN
CGHV40030P 30W, GAN HEMT, 50V, DC-6.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 30W 6GHz 150V 440196 HEMT 16dB 50V 150mA GaN
CGH35015F 15W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE Cree/Wolfspeed 440196 15W 3.3GHz ~ 3.9GHz 84V 440196 HEMT 12dB 28V 100mA GaN
CRF24010PE FET RF 120V 1.95GHZ 440196 Cree/Wolfspeed 440196 12W 1.95GHz 120V 1.8A 440196 Silicon Carbide MESFET 15dB 3.1dB 48V 500mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100