• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 15
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CGH40025F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Cree/Wolfspeed 440166 30W 0Hz ~ 6GHz 84V 7A 440166 HEMT 13dB 28V 250mA GaN
CGH27030F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Cree/Wolfspeed 440166 30W 3GHz 84V 440166 HEMT 14.5dB 28V 150mA GaN
CGH40025P RF MOSFET HEMT 28V 440196 Cree/Wolfspeed 440196 30W 6GHz 84V 440196 HEMT 13dB 28V GaN
CGHV40030P 30W, GAN HEMT, 50V, DC-6.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 30W 6GHz 150V 440196 HEMT 16dB 50V 150mA GaN
CG2H80030D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Cree/Wolfspeed Die 30W 8GHz 84V Die HEMT 16.5dB 28V 200mA GaN
CGH60030D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Cree/Wolfspeed Die 30W 6GHz 84V Die HEMT 15dB 28V 250mA GaN
PTGA090304MD-V1-R5 30W, SI LDMOS IC , 50V, 575-960M Cree/Wolfspeed PG-HB1DSO-14-1 30W 960MHz 105V 1µA 14-PowerSMD Module LDMOS 32dB 50V 144mA
CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN Cree/Wolfspeed 12-DFN (4x3) 30W 6GHz 125V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 20.4dB 50V 130mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100