• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CGHV35150P 150W, GAN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHZ, Cree/Wolfspeed 440206 150W 2.9GHz ~ 3.5GHz 125V 440206 HEMT 12.3dB 50V 500mA GaN
PTFA041501E-V4-R250 FET RF LDMOS 150W H36248-2 Cree/Wolfspeed H-36248-2 150W 470MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 21dB 28V 900mA
PTFA041501F-V4-R250 FET RF LDMOS 150W H37248-2 Cree/Wolfspeed H-37248-2 150W 470MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 21dB 28V 900mA
PTFA041501F-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 Cree/Wolfspeed H-37248-2 150W 420MHz ~ 500MHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 21dB 28V 900mA
PTFA041501E-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 Cree/Wolfspeed H-36248-2 150W 420MHz ~ 500MHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 21dB 28V 900mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100