• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CG2H40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, Cree/Wolfspeed 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 20dB 28V 1A GaN
CGHV35120F 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 125V 440162 HEMT 13dB 48V 220mA GaN
CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 Cree/Wolfspeed 440095 120W 2.5GHz 84V 440095 HEMT 21.5dB 28V 1.2A GaN
CGH40120F RF MOSFET HEMT 28V 440193 Cree/Wolfspeed 440193 120W 0Hz ~ 4GHz 84V 28A 440193 HEMT 19dB 28V 1A GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100