• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
  • C3M0075120K
    MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4L
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 113.6W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +19V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CAB400M12XM3
    MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 395A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 400A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB182503FL-V2-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC201202FC-V2-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 240mA
    • Выходная мощность: 16W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB183404F-V2-R0
    IC AMP RF LDMOS H-37275-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275-6/2
    • Тип корпуса: H-37275-6/2
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 2.6A
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CAB450M12XM3
    1.2KV 450A SIC HALF BRIDGE MOD
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 850W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV96050F2
    RF MOSFET HEMT 40V 440210
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440210
    • Тип корпуса: 440210
    • Частота: 7.9GHz ~ 9.6GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 70W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 40V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV14250F
    RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 330W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 42mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0032120K
    MOSFET N-CH SIC 1200V 100A
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4L
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3357pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 283W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +15V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB212503EL-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-33288-6
    • Тип корпуса: H-33288-6
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 55W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.1dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • E3M0120090D
    E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, E
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 97W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +18V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC260602FC-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB090901FA-V2-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTRA094252FC-V1-R0
    RF MOSFET LDMOS DUAL H-37248-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 746MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Выходная мощность: 351.5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 23dB
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB091507FH-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100