• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
  • PXAC260602FC-V1
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GTVA212701FA-V2-R2
    270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-87265J-2
    • Тип корпуса: H-87265J-2
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 320mA
    • Выходная мощность: 270W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • E3M0065090D
    E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, E
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +18V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0280090D
    MOSFET N-CH 900V 11.5A
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 54W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +18V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C2M1000170D
    MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 191pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 69W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CAS300M17BM2
    MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-Rec®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 225A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ)
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1076nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1760W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB182557SH-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB192503EL-V1-R0
    IC AMP RF LDMOS H-33288-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-33288-6
    • Тип корпуса: H-33288-6
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.9A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC241002FC-V1-R2
    RF FET LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GTRA362802FC-V1-R2
    280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 280W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFC260202FC-V1
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 170mA
    • Выходная мощность: 5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C2M0160120D
    MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GTRA362002FC-V1-R2
    200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 140mA
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB092707FH-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0032120D
    1200V, 32 MOHM, G3 SIC MOSFET
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3357pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 283W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +15V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100