• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
  • CAS300M12BM2
    MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-FET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module, Screw Terminals
    • Тип корпуса: Module
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 300A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ)
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1025nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11700pF @ 600V
    • Мощность - Макс.: 1660W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH40025P
    RF MOSFET HEMT 28V 440196
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440196
    • Тип корпуса: 440196
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTAC210802FC-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CCS020M12CM2
    MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Z-Rec®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ)
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 800V
    • Мощность - Макс.: 167W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0075120D
    MOSFET 1200V, 75 MOHM, G3 SIC
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 113.6W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +19V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • E3M0280090D
    E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, E
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 54W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +18V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB193404F-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275-6/2
    • Тип корпуса: H-37275-6/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 2.6A
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFC262808FV-V1-R0
    RF MOSFET TRANSISTORS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH40045P
    45W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440206
    • Тип корпуса: 440206
    • Частота: 4GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 45W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0065090J-TR
    MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    • Тип корпуса: D2PAK-7
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 113W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +19V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTRA097008NB-V1-R2
    RF LDMOS FET 630W, 920 - 960MHZ
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: HB2SOF-6-1
    • Тип корпуса: PG-HB2SOF-6-1
    • Частота: 920MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 600mA
    • Выходная мощность: 630W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGH09120F
    RF MOSFET HEMT 28V 440095
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440095
    • Тип корпуса: 440095
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 21.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA092201E-V4-R250
    FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTVA042502EC-V1-R2
    RF MOSFET TRANSISTORS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC261002FC-V1
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 210mA
    • Выходная мощность: 18W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.1dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100