• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: HBSOF-4-1
• Тип корпуса: PG-HBSOF-4-1
• Частота: 869MHz ~ 960MHz
• Номинальное напряжение: 105V
• Current - Test: 900mA
• Выходная мощность: 240W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 22.5dB
• Voltage - Test: 48V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: HBSOF-6-2
• Тип корпуса: PG-HBSOF-6-2
• Частота: 790MHz ~ 820MHz
• Номинальное напряжение: 105V
• Current - Test: 200mA
• Выходная мощность: 280W
• Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
• Усиление: 15.5dB
• Voltage - Test: 48V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440217
• Тип корпуса: 440217
• Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
• Номинальное напряжение: 125V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 500W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 13.5dB
• Voltage - Test: 50V
• Номинальный ток: 24A

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: GaN
• Package / Case: 440161
• Тип корпуса: 440161
• Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
• Номинальное напряжение: 150V
• Current - Test: 500mA
• Выходная мощность: 250W
• Тип транзистора: HEMT
• Усиление: 17.8dB
• Voltage - Test: 50V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-36265-2
• Тип корпуса: H-36265-2
• Частота: 960MHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 650mA
• Выходная мощность: 25W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 19.5dB
• Voltage - Test: 28V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Package / Case: H-37275G-6/2
• Тип корпуса: H-37275G-6/2
• Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
• Номинальное напряжение: 65V
• Current - Test: 720mA
• Выходная мощность: 290W
• Тип транзистора: LDMOS
• Усиление: 13.5dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 10µA

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-FET™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 168A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.1V @ 50mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9500pF @ 800V
• Мощность - Макс.: 568W

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
• Тип корпуса: D2PAK-7
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +15V, -4V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-4
• Тип корпуса: TO-247-4L
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 113.5W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +19V, -8V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
• Тип корпуса: D2PAK-7
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 600V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +18V, -8V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: C3M™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-4
• Тип корпуса: TO-247-4
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1.2kV
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6085pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 556W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
• Напряжение затвора (макс): +15V, -4V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: CAB425M12XM3
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V
• Мощность - Макс.: 50mW

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-FET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1893pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 330W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Cree/Wolfspeed
• Серия: Z-Rec®
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип корпуса: Module
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 193A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 925W