- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-87265J-2
- Тип корпуса: H-87265J-2
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 320mA
- Выходная мощность: 70W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37248C-4
- Тип корпуса: H-37248C-4
- Частота: 2.49GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 250W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440206
- Тип корпуса: 440206
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-36275-4
- Тип корпуса: H-36275-4
- Частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Выходная мощность: 1400W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 360mA
- Выходная мощность: 70W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-87265J-2
- Тип корпуса: H-87265J-2
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 320mA
- Выходная мощность: 270W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: PG-SON-10
- Частота: 500MHz ~ 1.4GHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 15.62W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21.64dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: Z-FET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 202W (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -5V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440109
- Тип корпуса: 440109
- Частота: 0Hz ~ 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 3.5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100