-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMS16P06H8-HF | MOSFET P-CH 60VDS 20VGS 64A DFN5 | Comchip Technology | DFN5x6 (PR-PAK) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2W (Ta), 25W (Tc) | 60V | 5A (Ta), 16A (Tc) | 48mOhm @ 8A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1256pF @ 30V | ±20V |
| CMS70N04H8-HF | MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 70A DFN5 | Comchip Technology | DFN5x6 (PR-PAK) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2W (Ta), 72.3W (Tc) | 40V | 70A (Tc) | 8.5mOhm @ 20A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.7nC @ 10V | 1278pF @ 25V | ±20V |
| CMS45P03H8-HF | MOSFET P-CH 30VDS 20VGS 150A DFN | Comchip Technology | DFN5x6 (PR-PAK) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2W (Ta), 45W (Tc) | 30V | 9.6A (Ta), 45A (Tc) | 15mOhm @ 30A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2215pF @ 15V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100