-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMS35N04V8-HF | MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 35A PDFN | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2W (Ta), 44W (Tc) | 40V | 35A (Tc) | 9mOhm @ 10A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.7nC @ 10V | 1220pF @ 25V | ±20V | |
| CMS25N03V8-HF | MOSFET N-CH 20VDS 30VGS 25A PDFN | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 1.7W (Ta), 20W (Tc) | 30V | 25A (Tc) | 18mOhm @ 10A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.2nC @ 4.5V | 572pF @ 15V | ±20V | |
| CMS06N10V8-HF | MOSFET N-CH 100VDS 20VGS 6.8A PD | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 1.7W (Ta), 10.4W (Tc) | 100V | 6.8A (Tc) | 105mOhm @ 6A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 26.2nC @ 10V | 1535pF @ 15V | ±20V | |
| CMS32P03V8-HF | MOSFET P-CH -30VDS 20VGS -7.7A P | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 1.6W (Ta), 29W (Tc) | 30V | 7.7A (Ta), 32A (Tc) | 20mOhm @ 15A, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.5nC @ 4.5V | 1345pF @ 15V | ±20V | |
| CMS25NN03V8-HF | MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | -55°C ~ 150°C | 2 N-Channel (Dual) | 30V | 25A | 20mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.2nC @ 4.5V | 572pF @ 15V | ||||
| CMS40N03V8-HF | MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN | Comchip Technology | 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | 30V | 25A (Ta), 40A (Tc) | 4.8mOhm @ 19A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 250µA | 12nC @ 4.5V | 1750pF @ 15V | ±20V |
- 10
- 15
- 50
- 100