Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Comchip Technology 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)

Найдено: 6
  • MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 35A PDFN
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 44W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 20VDS 30VGS 25A PDFN
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 20W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 100VDS 20VGS 6.8A PD
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH -30VDS 20VGS -7.7A P
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 32A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta), 29W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 19A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: