Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Comchip Technology 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 44W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 20W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26.2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta), 29W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: 8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100