• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: DPAK
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 620mW (Ta), 77W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): 30V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): 40V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 52.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): 30V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: N and P-Channel Complementary
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 150mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 2.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: SOT-883
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
• Напряжение затвора (макс): -10V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: TLM621H
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -8V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: SOT-883L
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): -20V