- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 350mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: TLM832D
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.65W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 2.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1168pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta), 156W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-89, SOT-490
- Тип корпуса: SOT-523
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
- Напряжение затвора (макс): -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): -8V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23.05nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 763pF @ 100V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 2.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-PowerVFDFN
- Тип корпуса: TLM621
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-PowerVFDFN
- Тип корпуса: TLM621
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 900mW (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V
- Мощность - Макс.: 350mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): -20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100