• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -8V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6
• Тип корпуса: SOT-26
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Частота: 400MHz
• Номинальное напряжение: 25V
• Current - Test: 4mA
• Тип транзистора: N-Channel JFET
• Voltage - Test: 15V
• Коэффициент шума: 4dB
• Номинальный ток: 30mA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: TLM563D
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -8V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
• Напряжение затвора (макс): -10V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: SOT-883
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.78A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -8V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
• Тип корпуса: SOT-23F
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: N and P-Channel
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FP
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 48W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): 30V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
• Тип корпуса: SOT-23F
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): 12V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 540mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 430mA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
• Мощность - Макс.: 350mW

• Производитель: Central Semiconductor Corp

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): -8V